Lumentum@Lumentum光学行业光学与 AIAI 评分4848

10 月 15 日前，可到 2026 OCP 全球峰会 B34 展位观看机架级光学 PCIe 链路演示，其中包括 Astera 的 Scorpio 智能交换芯片、@Lumentum 基于 1060 nm VCSEL 的光互连方案，以及 Corning 的多模光纤连接方案。 🔗 https://investor.lumentum.com/financial-news-releases/news-details/2026/Lumentum-Astera-Labs-and-Corning-to-Demonstrate-1060-nm-VCSEL-Based-PCIe-over-Optics-for-AI-Rack-Scale-Connectivity-at-the-2026-OCP-Global-Summit/default.aspx

安光所研制的星载高精度温室气体成像仪HMI获取首批星上数据

浦江四号卫星搭载的星载高精度主要温室气体成像仪HMI于9月27日启动成像并下传首批数据，研制方安光所熊伟团队初步评估载荷功能和性能指标满足设计要求。HMI采用空间成像与光谱干涉结合的信息调制技术，在520千米轨道可获取幅宽30千米、空间分辨率优于400米、光谱分辨率优于0.125纳米的超光谱数据。团队据首批数据初步估算哈萨克斯坦博加特尔露天矿甲烷排放速率约为27.52±1.70吨/小时。

富加镓业宣布制备出12英寸氧化镓单晶

杭州光机所孵育企业富加镓业3月26日宣布在国际上首次成功制备出12英寸（直径305mm）氧化镓（Ga₂O₃）单晶，此前其已于2025年12月制备出8英寸氧化镓晶体。原文称12英寸晶圆可使单片芯片数量倍增、摊薄成本，并便于导入现有12英寸硅基产线。公司下一步将与下游用户开展衬底-外延-器件-模组全链条协同攻关。

富加镓业联合功成半导体推进氧化镓器件验证

杭州光机所孵育企业富加镓业联合上海功成半导体，围绕氧化镓“材料-器件-应用”全产业链开展协同攻关，目前已进入器件验证阶段。基于富加镓业MOCVD氧化镓外延片制备的垂直肖特基二极管已通过芯片级测试和封测，正由功成半导体推进液冷模块验证。攻关面向新能源储能、数据中心液冷系统和400V电机驱动平台需求。

富加镓业在APCSCRM 2025发布6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆

富加镓业董事长齐红基在APCSCRM 2025大会报告中发布6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆，该晶圆基于公司自研高迁移率同质氧化镓外延片，与下游器件合作单位共同流片完成。晶圆包含3.0×3.0mm2、1.0×1.0mm2、0.5×0.5mm2和φ0.1mm四种芯片尺寸。

杭州光机所罗素中心空芯光纤连续拉丝突破15公里，最低损耗低于0.3 dB/km

杭州光机所罗素中心在空芯微结构光纤拉丝工艺上取得进展，实现连续拉丝长度超过15公里，通信波段最低损耗<0.3 dB/km。相关产业化由罗素中心成立的芯空光联（杭州）科技有限公司等推进，面向智算中心高速互联和6G通信网络等场景。团队称这验证了长距离空芯光纤拉制工艺的可行性，为超低损耗、超长距空芯微结构光纤量产打基础。

富加镓业国内首次制备出6英寸VB法氧化镓单晶晶锭

富加镓业利用垂直布里奇曼法（VB法）在国内首次成功制备出6英寸氧化镓单晶晶锭，晶体等径高度达30mm，可满足完整6英寸氧化镓导电型衬底的加工需求。此前公司于2024年12月率先在国内实现4英寸VB法氧化镓晶体制备。公司已推出拥有自主知识产权的VB法氧化镓晶体生长设备及配套生长工艺包。

晶飞半导体实现12英寸碳化硅晶圆激光剥离

晶飞半导体利用自主研发的激光剥离设备实现12英寸碳化硅晶圆剥离，此前该技术已在6/8英寸碳化硅领域通过多家客户验证。12英寸晶圆相比主流6英寸晶圆可用面积提升约4倍，单位芯片成本降低30%-40%。该突破打破国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断，为碳化硅产能扩张提供设备保障。

富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高

富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高，经中国计量科学研究院测试，厚度超10μm的同质外延片载流子浓度为4.2E16cm-3，迁移率达181.6cm2/V·s，较2025年3月的172.7cm2/V·s进一步提升。相关标准化外延产品已于2025年6月同步上市，将助力氧化镓高压大功率电力电子器件产业落地。

富加镓业氧化镓MOCVD同质外延薄膜技术突破，厚度超10微米

富加镓业在氧化镓单晶衬底上同质外延出厚度超过10微米的MOCVD薄膜，中国计量科学研究院测试显示背景载流子浓度低至3.6E15 cm-3、迁移率172.7 cm2/V·s，达到国际领先水平。相关标准化产品将于2025年4月上市，为新能源汽车高压平台、智能电网柔性输电装置等提供关键材料支撑，助力3300V以上垂直型高压功率电子器件产业落地。

富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能达国际先进水平，同步推出长晶设备

富加镓业4英寸VB法氧化镓晶体生长取得突破，单晶衬底XRD半高全宽优于50 arcsec，无孪晶，性能达国际先进水平。衬底表面粗糙度小于0.2 nm，弯曲度1.8 μm，翘曲度9.3 μm，总厚度偏差小于10.0 μm，加工指标达到4英寸碳化硅衬底要求。公司同步推出拥有自主知识产权的VB法氧化镓晶体生长设备及配套工艺包。

富加镓业导模法“一键长晶”技术通过专家评估，自动长晶成品率超90%

富加镓业导模法“一键长晶”技术通过专家组现场评估，验证了氧化镓自动长晶模式的可行性与稳定性，自动长晶成品率超过90%。专家组由山东大学陶绪堂教授、中国科学技术大学龙世兵教授及西安电子科技大学周弘教授组织，现场考核了单晶自动生长程序运行情况。该全自动晶体生长装备为氧化镓单晶及外延材料产业化奠定基础。

富加镓业氧化镓外延片经二轮器件验证，MOSFET电流密度提升78.3%

富加镓业优化MBE外延工艺后，基于其氧化镓外延片研制的MOSFET横向功率器件在第二轮流片中电流密度达107 mA/mm，比导通电阻约21.2 mΩ∙cm²，较第一轮同规格器件电流密度提升78.3%、比导通电阻下降约50%。该工作得到国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持，富加镓业将持续迭代外延产品并为下游器件厂商供应氧化镓衬底及外延片。

富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证

富加镓业MBE氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证，12 μm栅漏间距器件击穿电压达2242 V、电流密度60 mA/mm、比导通电阻约42 mΩ∙cm²，性能与进口同类材料相当。该外延片采用非故意掺杂层与Sn掺杂层复合双层结构，衬底为半绝缘型（010）Fe掺杂氧化镓，常规产品掺杂层载流子浓度1-4E17 cm⁻³、迁移率＞80 cm²/V·s、表面粗糙度＜2 nm。

富加镓业国内首次用坩埚下降法生长3英寸氧化镓单晶

杭州富加镓业科技有限公司2024年7月在国内首次采用坩埚下降法（VB）生长出3英寸氧化镓单晶，并基于模拟仿真技术研制出VB法氧化镓长晶装备。VB法生长无需使用铱金，可大幅降低生长成本，且温度场均匀、温度梯度较小，更易实现大尺寸、高质量晶体生长，适合自动、规模化生产。此前该公司已突破导模法（EFG）6英寸导电型、绝缘型氧化镓衬底生长技术及EFG"一键长晶"装备。